IDH04G65C5

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IDH04G65C5概述

INFINEON  IDH04G65C5  二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 5G 650V系列, 单, 650 V, 4 A, 7 nC, TO-220

thinQ! 碳化硅 SiC 肖特基,

Infineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术,用于碳化硅肖特基势垒二极管,可提高耐热性。碳化硅肖特基二极管设备在提供高压功率半导体特性方面极具优势,如提高击穿电场强度和增强导热性,从而提高效率。最新一代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电机驱动器、太阳能逆变器以及 PC Silverbox 和照明应用。

降低的 EMI

### 二极管和整流器,Infineon


立创商城:
650V 4A 1.5V@4A


得捷:
DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220-2


欧时:
### thinQ!™ 碳化硅 SiC 肖特基二极管,InfineonInfineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术,用于碳化硅肖特基势垒二极管,可提高耐热性。 Infineon thinQ!™ 肖特基二极管具有 600V、650V 和 1200V 电压选择。 Infineon 1200V 碳化硅二极管高效,且在 1200 V 操作时无损耗。 碳化硅肖特基二极管碳化硅设备提供各种用于高电压功率半导体的功能,如更高的击穿电场强度和导热性,可提供更高效率水平。 此代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电动机驱动器、太阳能反相器及 PC Silverbox 和照明应用。 降低的 EMI ### 二极管和整流器,Infineon


艾睿:
Diode Schottky 650V 4A 2-Pin2+Tab TO-220 Tube


TME:
Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; 48W; PG-TO220-2


Verical:
Rectifier Diode Schottky 650V 4A 2-Pin2+Tab TO-220 Tube


儒卓力:
**S-Diode 650V 4A 1,7V TO220-2 **


IDH04G65C5中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.7V @4A

耗散功率 48 W

热阻 3.1℃/W RθJC

反向恢复时间 0 ns

正向电流 4 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 38 A

正向电压Max 2.1 V

正向电流Max 4 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温Max 175 ℃

耗散功率Max 48000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 TO-220-2

外形尺寸

长度 10.2 mm

宽度 4.5 mm

高度 15.95 mm

封装 TO-220-2

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IDH04G65C5
型号: IDH04G65C5
描述:INFINEON  IDH04G65C5  二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 5G 650V系列, 单, 650 V, 4 A, 7 nC, TO-220
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