IDH04S60C参数规格_中文资料_数据手册PDF

IDH04S60C中文资料参数规格

技术参数

额定功率 42 W

负载电流 4 A

正向电压 1.7 V

耗散功率 42 W

正向电流 4 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 TO-220-2

外形尺寸

封装 TO-220-2

物理参数

工作温度 55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买IDH04S60C

型号： IDH04S60C

制造商： Infineon 英飞凌

描述：2ndGeneration的thinQ ！ TM SiC肖特基二极管 2ndGeneration thinQ!TM SiC Schottky Diode

替代型号IDH04S60C