IDT04S60C

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IDT04S60C中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 4.00 A

输出电流 ≤4.00 A

正向电压 1.7 V

极性 Standard

正向电流 4 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 32 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 TO-220

外形尺寸

长度 9.9 mm

宽度 4.4 mm

高度 9.2 mm

封装 TO-220

物理参数

工作温度 55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 Contains SVHC

数据手册

在线购买IDT04S60C
型号: IDT04S60C
制造商: Infineon 英飞凌
描述:第二代的thinQ SiC肖特基二极管 2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode
替代型号IDT04S60C
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IDT04S60C

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

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