IPD800N06NGBTMA1参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

IPD800N06NGBTMA1图片1

IPD800N06NGBTMA1图片2

IPD800N06NGBTMA1图片3

IPD800N06NGBTMA1概述

DPAK N-CH 60V 16A

表面贴装型 N 通道 60 V 16A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3

得捷:
MOSFET N-CH 60V 16A TO252-3

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 60V 16A TO-252

IPD800N06NGBTMA1中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 47000 mW

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 16A

上升时间 38 ns

输入电容Ciss 370pF @30VVds

额定功率Max 47 W

下降时间 27 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 47W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPD800N06NGBTMA1

型号： IPD800N06NGBTMA1

制造商： Infineon 英飞凌

描述：DPAK N-CH 60V 16A

替代型号IPD800N06NGBTMA1

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IPD800N06NGBTMA1 Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
IPD350N06LGBTMA1 英飞凌	类似代替	IPD800N06NGBTMA1和IPD350N06LGBTMA1的区别
IPD250N06N3GBTMA1 英飞凌	类似代替	IPD800N06NGBTMA1和IPD250N06N3GBTMA1的区别
IPD350N06LG 英飞凌	功能相似	IPD800N06NGBTMA1和IPD350N06LG的区别