IRFM210BTF_FP001中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 1.50 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2 W
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 770 mA
输入电容Ciss 225pF @25VVds
额定功率Max 2 W
耗散功率Max 2W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-261-4
外形尺寸
封装 TO-261-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买IRFM210BTF_FP001
型号： IRFM210BTF_FP001
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：Trans MOSFET N-CH 200V 0.77A 4Pin3+Tab SOT-223 T/R
替代型号IRFM210BTF_FP001
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRFM210BTF_FP001 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
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