IPB075N04LGATMA1概述
D2PAK N-CH 40V 50A
表面贴装型 N 通道 50A（Tc） 56W（Tc） D²PAK（TO-263AB）
得捷:
MOSFET N-CH 40V 50A D2PAK
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3
IPB075N04LGATMA1中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 56000 mW
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 50A
上升时间 3.4 ns
输入电容Ciss 2800pF @25VVds
下降时间 3.6 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 56W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
高度 4.57 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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