IPD5N25S3430ATMA1

IPD5N25S3430ATMA1图片1
IPD5N25S3430ATMA1图片2
IPD5N25S3430ATMA1图片3
IPD5N25S3430ATMA1图片4
IPD5N25S3430ATMA1图片5
IPD5N25S3430ATMA1图片6
IPD5N25S3430ATMA1概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 250 V, 0.37 ohm, 10 V, 3 V

* N-channel - Enhancement mode * AEC qualified * MSL1 up to 260°C peak reflow * 175°C operating temperature * Green Product RoHS compliant * 100% Avalanche tested


得捷:
MOSFET N-CH 250V 5A TO252-3


立创商城:
N沟道 250V 5A


欧时:
Infineon IPD5N25S3430ATMA1


贸泽:
MOSFET N-CHANNEL_100+


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 250 V, 5 A, 0.37 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 250V 5A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 250V 5A 3-Pin TO-252 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 250V 5A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


IPD5N25S3430ATMA1中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.37 Ω

耗散功率 41 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 250 V

连续漏极电流Ids 5A

上升时间 2 ns

输入电容Ciss 422pF @25VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 41W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Piezo Injection, Hybrid inverter

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IPD5N25S3430ATMA1
型号: IPD5N25S3430ATMA1
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 250 V, 0.37 ohm, 10 V, 3 V

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台