IRLM220ATF

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IRLM220ATF中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 800 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2 W

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 1.13 A

上升时间 24 ns

输入电容Ciss 430pF @25VVds

额定功率Max 2 W

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 2W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-223-4

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 3.5 mm

高度 1.8 mm

封装 SOT-223-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IRLM220ATF
型号: IRLM220ATF
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 200V 1.13A 4Pin3+Tab SOT-223 T/R

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