Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
CoolMOS™ CE 功率 MOSFET
### MOSFET ,Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
得捷:
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
欧时:
Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50R1K4CEBTMA1, 3.1 A, Vds=550 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 550V 3.1A 3-Pin TO-252 T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.1A; 25W; PG-TO252-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# INFINEON IPD50R1K4CEBTMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 3.1 A, 500 V, 1.26 ohm, 13 V, 3 V
额定功率 25 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 1.26 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 25 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 3.1A
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 178pF @100VVds
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 25 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.41 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Last Time Buy
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 消费电子产品, Consumer Electronics, Lighting, Power Management, 电源管理, 照明
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
IPD50R1K4CEBTMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPD60R1K4C6ATMA1 英飞凌 | 类似代替 | IPD50R1K4CEBTMA1和IPD60R1K4C6ATMA1的区别 |
IPD50R1K4CEAUMA1 英飞凌 | 类似代替 | IPD50R1K4CEBTMA1和IPD50R1K4CEAUMA1的区别 |