IRFM120ATF

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IRFM120ATF概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  IRFM120ATF  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.3 A, 100 V, 0.2 ohm, 10 V, 4 V

MOSFET


得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2


欧时:
### 高级功率 MOSFET,Fairchild Semiconductor雪崩耐受技术 耐用栅极氧化物技术 低输入电容 改进了栅极电荷 ### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


富昌:
IRFM120A 系列 N沟道 100 V 0.2 Ohm 高级 功率Mosfet - SOT-223


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  IRFM120ATF  MOSFET Transistor, N Channel, 2.3 A, 100 V, 0.2 ohm, 10 V, 4 V


DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223


IRFM120ATF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 2.30 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.2 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.4 W

阈值电压 4 V

输入电容 480 pF

栅电荷 22.0 nC

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 2.30 A

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 480pF @25VVds

额定功率Max 2.4 W

下降时间 28 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.4W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.7 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IRFM120ATF
型号: IRFM120ATF
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  IRFM120ATF  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.3 A, 100 V, 0.2 ohm, 10 V, 4 V
替代型号IRFM120ATF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IRFM120ATF

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

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STN2NF10

意法半导体

功能相似

IRFM120ATF和STN2NF10的区别

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