FAIRCHILD SEMICONDUCTOR IRFM120ATF 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.3 A, 100 V, 0.2 ohm, 10 V, 4 V
MOSFET
得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
欧时:
### 高级功率 MOSFET,Fairchild Semiconductor雪崩耐受技术 耐用栅极氧化物技术 低输入电容 改进了栅极电荷 ### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
富昌:
IRFM120A 系列 N沟道 100 V 0.2 Ohm 高级 功率Mosfet - SOT-223
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR IRFM120ATF MOSFET Transistor, N Channel, 2.3 A, 100 V, 0.2 ohm, 10 V, 4 V
DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223
额定电压DC 100 V
额定电流 2.30 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.2 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.4 W
阈值电压 4 V
输入电容 480 pF
栅电荷 22.0 nC
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 2.30 A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 480pF @25VVds
额定功率Max 2.4 W
下降时间 28 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.4W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-261-4
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.7 mm
封装 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IRFM120ATF Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
STN2NF10 意法半导体 | 功能相似 | IRFM120ATF和STN2NF10的区别 |