IPD090N03LGATMA1

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IPD090N03LGATMA1概述

INFINEON  IPD090N03LGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0075 ohm, 10 V, 2.2 V

表面贴装型 N 通道 30 V 40A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3-11


得捷:
MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3


立创商城:
N沟道 30V 40A


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0075 ohm, 10 V, 2.2 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# INFINEON  IPD090N03LGATMA1  MOSFET Transistor, N Channel, 40 A, 30 V, 0.0075 ohm, 10 V, 2.2 V


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3


IPD090N03LGATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 42 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.0075 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 42 W

阈值电压 2.2 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 40A

输入电容Ciss 1600pF @15VVds

工作温度Max 175 ℃

耗散功率Max 42W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

宽度 6.22 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 发光二极管照明, VRD/VRM, LED Lighting, 电源管理, Onboard charger, Computers & Computer Peripherals, Mainboard, Power Management, Motor Drive & Control, 电机驱动与控制, 计算机和计算机周边

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IPD090N03LGATMA1
型号: IPD090N03LGATMA1
描述:INFINEON  IPD090N03LGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0075 ohm, 10 V, 2.2 V
替代型号IPD090N03LGATMA1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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