INFINEON IPD090N03LGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0075 ohm, 10 V, 2.2 V
表面贴装型 N 通道 30 V 40A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3-11
得捷:
MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
立创商城:
N沟道 30V 40A
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0075 ohm, 10 V, 2.2 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# INFINEON IPD090N03LGATMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 40 A, 30 V, 0.0075 ohm, 10 V, 2.2 V
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
额定功率 42 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.0075 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 42 W
阈值电压 2.2 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 40A
输入电容Ciss 1600pF @15VVds
工作温度Max 175 ℃
耗散功率Max 42W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
宽度 6.22 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 发光二极管照明, VRD/VRM, LED Lighting, 电源管理, Onboard charger, Computers & Computer Peripherals, Mainboard, Power Management, Motor Drive & Control, 电机驱动与控制, 计算机和计算机周边
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IPD090N03LGATMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPD090N03LG 英飞凌 | 完全替代 | IPD090N03LGATMA1和IPD090N03LG的区别 |
IPD090N03L G 英飞凌 | 类似代替 | IPD090N03LGATMA1和IPD090N03L G的区别 |
IRLR8729TRPBF 英飞凌 | 类似代替 | IPD090N03LGATMA1和IRLR8729TRPBF的区别 |