晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 60 V, 0.023 ohm, 10 V, 1.7 V
表面贴装型 N 通道 60 V 25A（Tc） 29W（Tc） PG-TO252-3-11
欧时:
Infineon MOSFET IPD25N06S4L30ATMA2
得捷:
MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
立创商城:
N沟道 60V 25A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 25A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin TO-252 T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 25A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
针脚数 3
漏源极电阻 0.023 Ω
极性 N-CH
耗散功率 29 W
阈值电压 1.7 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 25A
上升时间 1 ns
输入电容Ciss 1220pF @25VVds
下降时间 2 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 29W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Lighting, Solenoids control, Single-ended motors, Valves control
RoHS标准
含铅标准 无铅
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPD25N06S4L30ATMA2 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPD25N06S4L30ATMA1 英飞凌 | 类似代替 | IPD25N06S4L30ATMA2和IPD25N06S4L30ATMA1的区别 |