IRFR120NPBF

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IRFR120NPBF概述

N沟道 100V 9.4A

**N-Channel Power MOSFET 8A to 12A, Infineon**

The Infineon range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.


得捷:
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK


立创商城:
N沟道 100V 9.4A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin2+Tab DPAK Tube


Allied Electronics:
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDSON 0.21Ohm; ID 9.4A; D-Pak TO-252AA; PD 48W


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin2+Tab DPAK Tube


DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK


IRFR120NPBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 9.10 A

漏源极电阻 0.21 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 48 W

产品系列 IRFR120N

输入电容 330pF @25V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 9.40 A

上升时间 23.0 ns

输入电容Ciss 330pF @25VVds

额定功率Max 48 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IRFR120NPBF
型号: IRFR120NPBF
制造商: International Rectifier 国际整流器
描述:N沟道 100V 9.4A
替代型号IRFR120NPBF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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