INFINEON IPD135N03LGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 30 V, 0.0113 ohm, 10 V, 2.2 V
I OptiMOS™3 功率 MOSFET，高达 40V
OptiMOS™产品提供高效能封装，以解决最具挑战性的应用，在有限空间内提供完全的灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
快速切换 MOSFET，用于 SMPS
优化技术，用于直流/直流转换器
符合目标应用的 JEDEC1 规格
N 通道，逻辑电平
极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM
极低导通电阻 R DSon
无铅电镀
### MOSFET ，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
额定功率 31 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.0113 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 31 W
阈值电压 2.2 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 30A
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 770pF @15VVds
下降时间 2.2 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 31000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.41 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Lighting, 工业, 照明, Industrial, VRD/VRM, Onboard charger, Mainboard, Motor Drive & Control, 电机驱动与控制
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPD135N03LGATMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPD135N03L G 英飞凌 | 类似代替 | IPD135N03LGATMA1和IPD135N03L G的区别 |
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IPD30N03S4L09ATMA1 英飞凌 | 类似代替 | IPD135N03LGATMA1和IPD30N03S4L09ATMA1的区别 |