MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDSON 0.065Ω; ID 4.4A; SOT-223; PD 2.1W; VGS +/-16V
**HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, Infineon**
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 4.4A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 4.4A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
DeviceMart:
MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
额定电压DC 55.0 V
额定电流 3.10 A
漏源极电阻 0.1 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.1 W
产品系列 IRLL024N
输入电容 510pF @25V
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55 V
连续漏极电流Ids 4.40 A
上升时间 21.0 ns
输入电容Ciss 510pF @25VVds
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-261-4
长度 6.7 mm
高度 1.45 mm
封装 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRLL024NTRPBF International Rectifier 国际整流器 | 当前型号 | 当前型号 |
STN3NF06L 意法半导体 | 功能相似 | IRLL024NTRPBF和STN3NF06L的区别 |