N沟道 30V 13A
**N-Channel Power MOSFET 13A to 19A, Infineon**
Infineon"s range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
得捷:
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
立创商城:
N沟道 30V 13A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC Tube
Allied Electronics:
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 30V; RDSON 8 Milliohms; ID 13A; SO-8; PD 2.5W; VGS +/-20V
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC Tube
额定电压DC 30.0 V
额定电流 13.0 A
漏源极电阻 13 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
产品系列 IRF7413Z
阈值电压 1.8 V
输入电容 1210pF @15V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 13.0 A
上升时间 6.30 ns
输入电容Ciss 1210pF @15VVds
额定功率Max 2.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IRF7413ZPBF International Rectifier 国际整流器 | 当前型号 | 当前型号 |
FDS6670A 飞兆/仙童 | 功能相似 | IRF7413ZPBF和FDS6670A的区别 |
STS11NF30L 意法半导体 | 功能相似 | IRF7413ZPBF和STS11NF30L的区别 |