2个N沟道 20V 3.5A
* Advanced Process Technology
* Ultra Low On-Resistance
* Dual N-Channel MOSFET
* Surface Mount
* Available in Tape and reel
* Dynamic dv/dt Rating
* Fast Switching
* Lead-Free
得捷:
HEXFET POWER MOSFET
立创商城:
2个N沟道 20V 3.5A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 8-Pin SOIC Tube
Allied Electronics:
IRF7101PBF Dual N-channel MOSFET Transistor, 3.5 A, 20 V, 8-Pin SOIC
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 20V 3.5A 8-Pin SOIC Tube
额定电压DC 20.0 V
额定电流 3.50 A
漏源极电阻 0.15 Ω
极性 N-Channel, Dual N-Channel
耗散功率 2 W
产品系列 IRF7101
阈值电压 3 V
输入电容 320pF @15V
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
连续漏极电流Ids 3.50 A
上升时间 10.0 ns
热阻 62.5℃/W RθJA
输入电容Ciss 320pF @15VVds
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温Max 150 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC