IRF7807ZPBF

N沟道 30V 11A

**N-Channel Power MOSFET 8A to 12A, Infineon**

The Infineon range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

得捷:
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO

立创商城:
N沟道 30V 11A

欧时:
N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A，International Rectifier International Rectifier 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 MOSFET 晶体管，International Rectifier International Rectifier 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC Tube

Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC Tube

DeviceMart:
HEXFET, N채널, Vd = 30V, Rds = 13.8mΩ, Id = 11A, SOIC8패키지