IPD60R600CPBTMA1

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IPD60R600CPBTMA1概述

DPAK N-CH 600V 6.1A

表面贴装型 N 通道 6.1A(Tc) 60W(Tc) PG-TO252-3


得捷:
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO252-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 6.1A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 6.1A 3-Pin2+Tab TO-252 T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-252


IPD60R600CPBTMA1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 60W Tc

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 6.1A

输入电容Ciss 550pF @100VVds

耗散功率Max 60W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPD60R600CPBTMA1
型号: IPD60R600CPBTMA1
描述:DPAK N-CH 600V 6.1A

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