IRF7601PBF

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IRF7601PBF概述

N沟道 20V 5.7A

**HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, Infineon**

HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.


得捷:
MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8


立创商城:
N沟道 20V 5.7A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 5.7A 8-Pin Micro Tube


Allied Electronics:
IRF7601PBF N-channel MOSFET Transistor, 5.7 A, 20 V, 8-Pin Micro


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 5.7A 8-Pin Micro Tube


IRF7601PBF中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.05 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.8 W

产品系列 IRF7601

输入电容 650pF @15V

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 5.70 A

输入电容Ciss 650pF @15VVds

额定功率Max 1.8 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 Micro-8

外形尺寸

长度 3.05 mm

高度 0.91 mm

封装 Micro-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

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型号: IRF7601PBF
制造商: International Rectifier 国际整流器
描述:N沟道 20V 5.7A

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