IRF7307PBF

IRF7307PBF图片1
IRF7307PBF图片2
IRF7307PBF图片3
IRF7307PBF图片4
IRF7307PBF图片5
IRF7307PBF图片6
IRF7307PBF图片7
IRF7307PBF图片8
IRF7307PBF图片9
IRF7307PBF图片10
IRF7307PBF图片11
IRF7307PBF图片12
IRF7307PBF图片13
IRF7307PBF图片14
IRF7307PBF图片15
IRF7307PBF图片16
IRF7307PBF图片17
IRF7307PBF概述

1个N沟道和1个P沟道 20V 4.3A 5.2A

* Generation V Technology

* Ultra Low On-Resistance

* Dual N and P Channel MOSFET

* Surface Mount

* Available in Tape and Reel

* Dynamic dv/dt Rating

* Fast Switching

* Lead-Free


得捷:
AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL


立创商城:
1个N沟道和1个P沟道 20V 5.2A 4.3A


艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 5.7A/4.7A 8-Pin SOIC Tube


Allied Electronics:
IRF7307PBF Dual N/P-channel MOSFET Transistor, 4.7 A, 5.7 A, 20 V, 8-Pin SOIC


Verical:
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 5.7A/4.7A 8-Pin SOIC Tube


IRF7307PBF中文资料参数规格
技术参数

额定电流 5.20 A

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 2 W

产品系列 IRF7307

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20.0 V

连续漏极电流Ids 5.70 A

热阻 62.5℃/W RθJA

输入电容Ciss 660pF @15VVds

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买IRF7307PBF
型号: IRF7307PBF
制造商: International Rectifier 国际整流器
描述:1个N沟道和1个P沟道 20V 4.3A 5.2A

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台