IRLM120ATF参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRLM120ATF中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 220 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.7 W

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 2.30 A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 440pF @25VVds

额定功率Max 2.7 W

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.7W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-223-4

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 3.5 mm

高度 1.8 mm

封装 SOT-223-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IRLM120ATF

型号： IRLM120ATF

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4Pin3+Tab SOT-223 T/R

替代型号IRLM120ATF