N沟道 30V 43A
**N-Channel Power MOSFET 40A to 49A, Infineon**
The Infineon range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
得捷:
HEXFET POWER MOSFET
立创商城:
N沟道 30V 43A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 43A 3-Pin2+Tab DPAK Tube
Allied Electronics:
MOSFET, N Ch., 30V, 43A, 13.8 MOHM, 7 NC QG, D-PAK, Pb-Free
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 43A 3-Pin2+Tab DPAK Tube
额定电压DC 30.0 V
额定电流 43.0 A
漏源极电阻 18.2 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 40 W
产品系列 IRLR7807Z
阈值电压 1.8 V
输入电容 780pF @15V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 43.0 A
上升时间 28.0 ns
输入电容Ciss 780pF @15VVds
额定功率Max 40 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
高度 2.26 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRLR7807ZPBF International Rectifier 国际整流器 | 当前型号 | 当前型号 |
STD40NF03LT4 意法半导体 | 功能相似 | IRLR7807ZPBF和STD40NF03LT4的区别 |