MOSFET, Power; Dual N-Ch; VDSS 30V; RDSON 0.029Ω; ID 6.5A; SO-8; PD 2W; VGS +/-20V
**HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, Infineon**
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC T/R
DeviceMart:
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
额定电压DC 30.0 V
额定电流 6.50 A
漏源极电阻 0.046 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 2 W
产品系列 IRF7313
阈值电压 1 V
输入电容 650pF @25V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 6.50 A
上升时间 8.90 ns
输入电容Ciss 650pF @25VVds
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRF7313TRPBF International Rectifier 国际整流器 | 当前型号 | 当前型号 |
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