IPD50R650CEBTMA1概述
DPAK N-CH 500V 6.1A
N-Channel 500V 6.1A Tc 47W Tc Surface Mount PG-TO252-3
得捷:
MOSFET N-CH 500V 6.1A TO252-3
贸泽:
MOSFET N-Ch 500V 6.1A DPAK-2
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 6.1A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
IPD50R650CEBTMA1中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 590 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 69 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 6.1A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 342pF @100VVds
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 47000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC标准 No SVHC
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