INFINEON IPD30N10S3L34ATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 100 V, 0.0258 ohm, 10 V, 1.7 V
OptiMOS™T 功率 MOSFET
OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
N 通道 - 增强模式
符合汽车 AEC Q101 规格
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度
绿色产品(符合 RoHS 标准)
欧时:
Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N10S3L34ATMA1, 30 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
得捷:
MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
立创商城:
N沟道 100V 30A
贸泽:
MOSFET N-Ch 100V 30A DPAK-2 OptiMOS-T
艾睿:
As an alternative to traditional transistors, the IPD30N10S3L34ATMA1 power MOSFET from Infineon Technologies can be used to both amplify and switch electronic signals. Its maximum power dissipation is 57000 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 3-Pin2+Tab TO-252
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# INFINEON IPD30N10S3L34ATMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 30 A, 100 V, 0.0258 ohm, 10 V, 1.7 V
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3 / N-Channel 100 V 30A Tc 57W Tc Surface Mount PG-TO252-3-11
针脚数 3
漏源极电阻 0.0258 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 57 W
阈值电压 1.7 V
输入电容 1520 pF
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 30A
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 1520pF @25VVds
下降时间 3 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 57W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 车用, 电源管理, Lighting, 48V DC/DC, 照明, Automotive, 48V inverter, Power Management, HID lighting
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IPD30N10S3L34ATMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
STD40NF10 意法半导体 | 功能相似 | IPD30N10S3L34ATMA1和STD40NF10的区别 |
HUF75631S3S 英特矽尔 | 功能相似 | IPD30N10S3L34ATMA1和HUF75631S3S的区别 |