IRFL024ZPBF

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IRFL024ZPBF概述

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDSON 46.2 Milliohms; ID 5.1A; SOT-223; PD 1W; VF 1.3V

**N-Channel Power MOSFET up to 7A, Infineon**

Infineon"s range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 4-Pin3+Tab SOT-223 Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 4-Pin3+Tab SOT-223 Tube


DeviceMart:
MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223


IRFL024ZPBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 55.0 V

额定电流 5.10 A

漏源极电阻 57.5 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.8 W

产品系列 IRFL024Z

输入电容 340pF @25V

漏源极电压Vds 55 V

漏源击穿电压 55 V

连续漏极电流Ids 5.10 A

上升时间 21.0 ns

输入电容Ciss 340pF @25VVds

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.7 mm

高度 1.45 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买IRFL024ZPBF
型号: IRFL024ZPBF
制造商: International Rectifier 国际整流器
描述:MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDSON 46.2 Milliohms; ID 5.1A; SOT-223; PD 1W; VF 1.3V
替代型号IRFL024ZPBF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IRFL024ZPBF

International Rectifier 国际整流器

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STN3NF06L

意法半导体

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