IPD50N06S4L12ATMA2参数规格_中文资料_数据手册PDF

IPD50N06S4L12ATMA2概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0096 ohm, 10 V, 1.7 V

表面贴装型 N 通道 60 V 50A（Tc） 50W（Tc） PG-TO252-3-11

欧时:
Infineon MOSFET IPD50N06S4L12ATMA2

得捷:
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31

立创商城:
N沟道 60V 50A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R

TME:
Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W

Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R

IPD50N06S4L12ATMA2中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0096 Ω

极性 N-CH

耗散功率 50 W

阈值电压 1.7 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 50A

上升时间 2 ns

输入电容Ciss 2220pF @25VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 50000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Lighting, Solenoids control, Single-ended motors, Valves control

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

数据手册

IPD50N06S4L12ATMA2引脚图与封装图

在线购买IPD50N06S4L12ATMA2

型号： IPD50N06S4L12ATMA2

描述：晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0096 ohm, 10 V, 1.7 V

替代型号IPD50N06S4L12ATMA2