MOS全桥,55V/4.7A-55V/-3.4A
* Generation V Technology
* Ultra Low On-Resistance
* Dual N and P Channel MOSFET
* Surface Mount
* Fully Avalanche Rated
* Lead Free
艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC T/R
Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC T/R
DeviceMart:
MOSFET N+P 55V 3.4A 8-SOIC
额定电流 4.70 A
漏源极电阻 50 mΩ
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 2 W
产品系列 IRF7343
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55.0 V
连续漏极电流Ids 4.70 A
热阻 62.5℃/W RθJA
输入电容Ciss 740pF @25VVds
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRF7343TRPBF International Rectifier 国际整流器 | 当前型号 | 当前型号 |
AO4612 万代半导体 | 功能相似 | IRF7343TRPBF和AO4612的区别 |