IPS050N03LGAKMA1概述
TO-251 N-CH 30V 50A
通孔 N 通道 30 V 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO251-3-11
得捷:
MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin3+Tab TO-251 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; IPAK SL
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin3+Tab TO-251 Tube
IPS050N03LGAKMA1中文资料参数规格
技术参数
额定功率 68 W
极性 N-CH
耗散功率 68 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 50A
输入电容Ciss 3200pF @15VVds
耗散功率Max 68W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
外形尺寸
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Rail, Tube
制造应用 VRD/VRM, Onboard charger, Mainboard
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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