IRF7341PBF

IRF7341PBF图片1
IRF7341PBF图片2
IRF7341PBF图片3
IRF7341PBF图片4
IRF7341PBF图片5
IRF7341PBF图片6
IRF7341PBF图片7
IRF7341PBF图片8
IRF7341PBF图片9
IRF7341PBF图片10
IRF7341PBF图片11
IRF7341PBF图片12
IRF7341PBF图片13
IRF7341PBF图片14
IRF7341PBF图片15
IRF7341PBF概述

INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7341PBF  双路场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, SOIC 新

* Generation V Technology

* Ultra Low On-Resistance

* Dual N-Channel MOSFET

* Surface Mount

* Available in Tape & Reel

* Dynamic dv/dt Rating

* Fast Switching

* Lead-Free


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 4.7A 8-Pin SOIC Tube


Allied Electronics:
IRF7341PBF Dual N-channel MOSFET Transistor, 4.7 A, 55 V, 8-Pin SOIC


Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 4.7A 8-Pin SOIC Tube


IRF7341PBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 55.0 V

额定电流 4.70 A

针脚数 8

漏源极电阻 0.05 Ω

极性 N-Channel, Dual N-Channel

耗散功率 2 W

产品系列 IRF7341

阈值电压 1 V

输入电容 780pF @25V

漏源极电压Vds 55 V

漏源击穿电压 55 V

连续漏极电流Ids 4.70 A

上升时间 3.20 ns

热阻 62.5℃/W RθJA

输入电容Ciss 740pF @25VVds

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IRF7341PBF
型号: IRF7341PBF
制造商: International Rectifier 国际整流器
描述:INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7341PBF  双路场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, SOIC 新
替代型号IRF7341PBF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IRF7341PBF

International Rectifier 国际整流器

当前型号

当前型号

IRF7341TRPBF

国际整流器

类似代替

IRF7341PBF和IRF7341TRPBF的区别

STS4DNF60L

意法半导体

功能相似

IRF7341PBF和STS4DNF60L的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台