IPD088N06N3GBTMA1

INFINEON  IPD088N06N3GBTMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0071 ohm, 10 V, 3 V

OptiMOS™3 功率 MOSFET，60 至 80V

OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

快速切换 MOSFET，用于 SMPS

优化技术，用于直流/直流转换器

符合目标应用的 JEDEC1 规格

N 通道，逻辑电平

极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM

极低导通电阻 R DSon

无铅电镀

得捷:
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD088N06N3GBTMA1, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK TO-252封装

e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0071 ohm, 10 V, 3 V

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 71W; PG-TO252-3

Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Newark:
# INFINEON  IPD088N06N3GBTMA1  MOSFET Transistor, N Channel, 50 A, 60 V, 0.0071 ohm, 10 V, 3 V