INTERNATIONAL RECTIFIER IRF640NPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 18A, TO-220AB 新
**N-Channel Power MOSFET 13A to 19A, Infineon**
Infineon"s range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
力源芯城:
18A,200V,N沟道功率MOSFET
额定电压DC 200 V
额定电流 18.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.15 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 150 W
产品系列 IRF640N
阈值电压 4 V
输入电容 1160pF @25V
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
连续漏极电流Ids 18.0 A
上升时间 19.0 ns
热阻 1℃/W RθJC
输入电容Ciss 1160pF @25VVds
额定功率Max 150 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.4 mm
高度 9.02 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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