N沟道 55V 2.8A
**HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, Infineon**
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.
得捷:
HEXFET POWER MOSFET
立创商城:
N沟道 55V 2.8A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 4A 4-Pin3+Tab SOT-223 Tube
Allied Electronics:
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDSON 0.075Ohm; ID 2.8A; SOT-223; PD 1W; VGS +/-20V
Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 4A 4-Pin3+Tab SOT-223 Tube
额定电压DC 55.0 V
额定电流 2.80 A
通道数 1
漏源极电阻 0.075 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.1 W
产品系列 IRFL024N
阈值电压 4 V
输入电容 400pF @25V
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55 V
连续漏极电流Ids 2.80 A
上升时间 13.4 ns
输入电容Ciss 400pF @25VVds
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-223-4
长度 6.7 mm
高度 1.45 mm
封装 SOT-223-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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