IPZ40N04S58R4ATMA1

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IPZ40N04S58R4ATMA1概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 40 V, 0.007 ohm, 10 V, 2.8 V

表面贴装型 N 通道 40A(Tc) 34W(Tc) PG-TSDSON-8-32


得捷:
MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON-32


欧时:
Infineon MOSFET IPZ40N04S58R4ATMA1


立创商城:
N沟道 40V 40A


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MOSFET MOSFET_20V 40V


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Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R


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Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R


IPZ40N04S58R4ATMA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.007 Ω

极性 N-CH

耗散功率 34 W

阈值电压 2.8 V

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 40A

上升时间 2 ns

输入电容Ciss 771pF @25VVds

下降时间 2 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 34W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-TSDSON-8-32

外形尺寸

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

高度 1 mm

封装 PG-TSDSON-8-32

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IPZ40N04S58R4ATMA1
型号: IPZ40N04S58R4ATMA1
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 40 V, 0.007 ohm, 10 V, 2.8 V

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