INTERNATIONAL RECTIFIER IRF630NPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 200V, 9.3A, TO-220AB 新
**N-Channel Power MOSFET 8A to 12A, Infineon**
The Infineon range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
e络盟:
场效应管, N 通道, MOSFET, 200V, 9.3A, TO-220AB
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 9.3A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 9.3A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
DeviceMart:
HEXFET Power MOSFET, N채널 Vdss = 200V, Rdson = 0.30Ω , Id = 9.3A
额定电压DC 200 V
额定电流 9.30 A
漏源极电阻 0.3 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 82 W
产品系列 IRF630N
输入电容 575pF @25V
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
连续漏极电流Ids 9.30 A
上升时间 14 ns
热阻 1.83℃/W RθJC
输入电容Ciss 575pF @25VVds
额定功率Max 82 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 82000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
高度 9.02 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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