IPS040N03LGAKMA1

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IPS040N03LGAKMA1概述

Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPS040N03LGAKMA1, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 IPAK TO-251封装

I OptiMOS™3 功率 MOSFET,高达 40V

OptiMOS™产品提供高效能封装,以解决最具挑战性的应用,在有限空间内提供完全的灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

快速切换 MOSFET,用于 SMPS

优化技术,用于直流/直流转换器

符合目标应用的 JEDEC1 规格

N 通道,逻辑电平

极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM

极低导通电阻 R DSon

无铅电镀


得捷:
MOSFET N-CH 30V 90A TO251-3


欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPS040N03LGAKMA1, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 IPAK TO-251封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin3+Tab TO-251 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 89A; 79W; IPAK SL


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin3+Tab TO-251 Tube


Win Source:
MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO251-3


IPS040N03LGAKMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 79 W

极性 N-Channel

耗散功率 79 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 90A

输入电容Ciss 3900pF @15VVds

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 79W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 2.39 mm

高度 6.22 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Rail, Tube

制造应用 Mainboard, VRD/VRM, Onboard charger

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

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型号: IPS040N03LGAKMA1
描述:Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPS040N03LGAKMA1, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 IPAK TO-251封装

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