Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPS040N03LGAKMA1, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 IPAK TO-251封装
I OptiMOS™3 功率 MOSFET,高达 40V
OptiMOS™产品提供高效能封装,以解决最具挑战性的应用,在有限空间内提供完全的灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
快速切换 MOSFET,用于 SMPS
优化技术,用于直流/直流转换器
符合目标应用的 JEDEC1 规格
N 通道,逻辑电平
极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM
极低导通电阻 R DSon
无铅电镀
得捷:
MOSFET N-CH 30V 90A TO251-3
欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPS040N03LGAKMA1, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 IPAK TO-251封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin3+Tab TO-251 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 89A; 79W; IPAK SL
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin3+Tab TO-251 Tube
Win Source:
MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO251-3
额定功率 79 W
极性 N-Channel
耗散功率 79 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 90A
输入电容Ciss 3900pF @15VVds
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 79W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
长度 6.73 mm
宽度 2.39 mm
高度 6.22 mm
封装 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Rail, Tube
制造应用 Mainboard, VRD/VRM, Onboard charger
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC