IPD250N06N3GBTMA1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IPD250N06N3GBTMA1概述

DPAK N-CH 60V 28A

N-Channel 60V 28A Tc 36W Tc Surface Mount PG-TO252-3

得捷:
MOSFET N-CH 60V 28A TO252-3

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 28A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 60V 28A TO252-3

IPD250N06N3GBTMA1中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 36W Tc

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 28A

输入电容Ciss 1200pF @30VVds

耗散功率Max 36W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPD250N06N3GBTMA1

型号： IPD250N06N3GBTMA1

描述：DPAK N-CH 60V 28A

替代型号IPD250N06N3GBTMA1