FAIRCHILD SEMICONDUCTOR IRF530A 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 100 V, 0.11 ohm, 10 V, 4 V 新
高级功率 MOSFET， Semiconductor
雪崩耐受技术
耐用栅极氧化物技术
低输入电容
改进了栅极电荷
### MOSFET ，Fairchild Semiconductor
Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
针脚数 3
漏源极电阻 110 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 55 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 -12.0 V
栅源击穿电压 ±0.00 V
连续漏极电流Ids 14.0 A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 790pF @25VVds
额定功率Max 55 W
下降时间 36 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 55W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.1 mm
宽度 4.7 mm
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Rail
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRF530A Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
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