IPD65R650CEATMA1概述
DPAK N-CH 650V 7A
N-Channel 650V 10.1A Tc 86W Tc Surface Mount PG-TO252-3
得捷:
MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252-3
贸泽:
MOSFET CONSUMER
艾睿:
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; 63W; PG-TO252-3
IPD65R650CEATMA1中文资料参数规格
技术参数
额定功率 63 W
通道数 1
漏源极电阻 650 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 86W Tc
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 650 V
连续漏极电流Ids 7A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 440pF @100VVds
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 86W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
在线购买IPD65R650CEATMA1