P沟道,-55V,-31A,65mΩ@-10V
**HEXFET® P-Channel Power MOSFETs, Infineon**
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single P-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.
艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
DeviceMart:
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
额定电压DC -55.0 V
额定电流 -31.0 A
漏源极电阻 0.065 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 110 W
产品系列 IRFR5305
输入电容 1.20 nF
栅电荷 63.0 nC
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids -31.0 A
上升时间 66.0 ns
输入电容Ciss 1200pF @25VVds
额定功率Max 110 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 10.41 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRFR5305TRPBF International Rectifier 国际整流器 | 当前型号 | 当前型号 |
SPD30P06P G 英飞凌 | 功能相似 | IRFR5305TRPBF和SPD30P06P G的区别 |