-30V,-10A,P沟道功率MOSFET
**P-Channel Power MOSFET over 8A, Infineon**
Infineon"s range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC Tube
Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC Tube
力源芯城:
-30V,-10A,P沟道功率MOSFET
DeviceMart:
MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -10.0 A
漏源极电阻 0.035 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 2.5 W
产品系列 IRF7416
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 -30.0 V
连续漏极电流Ids -10.0 A
上升时间 49.0 ns
输入电容Ciss 1700pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRF7416PBF International Rectifier 国际整流器 | 当前型号 | 当前型号 |
STS7PF30L 意法半导体 | 功能相似 | IRF7416PBF和STS7PF30L的区别 |
AO4435 万代半导体 | 功能相似 | IRF7416PBF和AO4435的区别 |