N沟道 60V 50A
* N-channel - Enhancement mode * AEC Q101 qualified * MSL1 up to 260°C peak reflow * 175°C operating temperature * Green Product RoHS compliant * 100% Avalanche tested
欧时:
Infineon MOSFET IPD50N06S4L08ATMA2
得捷:
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
立创商城:
N沟道 60V 50A
贸泽:
MOSFET MOSFET
艾睿:
Power Transistor
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin TO-252 T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31 / N-Channel 60 V 50A Tc 71W Tc Surface Mount PG-TO252-3-11
极性 N-CH
耗散功率 71W Tc
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 50A
上升时间 2 ns
输入电容Ciss 4780pF @25VVds
下降时间 8 ns
耗散功率Max 71W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Valves control, Solenoids control, Lighting, Single-ended motors
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPD50N06S4L08ATMA2 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPD50N06S4L08ATMA1 英飞凌 | 类似代替 | IPD50N06S4L08ATMA2和IPD50N06S4L08ATMA1的区别 |