IPB080N03LGATMA1

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IPB080N03LGATMA1概述

D2PAK N-CH 30V 50A

表面贴装型 N 通道 50A(Tc) 47W(Tc) D²PAK(TO-263AB)


得捷:
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK


贸泽:
MOSFET LV POWER MOS


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin2+Tab TO-263 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 34A; 47W; PG-TO263-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


IPB080N03LGATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 47 W

通道数 1

漏源极电阻 0.0067 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 47 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 50A

输入电容Ciss 1900pF @15VVds

工作温度Max 175 ℃

耗散功率Max 47W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Onboard charger, VRD/VRM, Mainboard

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IPB080N03LGATMA1
型号: IPB080N03LGATMA1
描述:D2PAK N-CH 30V 50A
替代型号IPB080N03LGATMA1
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