IPS12CN10LGBKMA1

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IPS12CN10LGBKMA1概述

TO-251 N-CH 100V 69A

N-Channel 100V 69A Tc 125W Tc Through Hole PG-TO251-3


得捷:
MOSFET N-CH 100V 69A TO251-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 69A 3-Pin3+Tab TO-251 Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 69A 3-Pin3+Tab TO-251 Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 69A TO251-3-11


IPS12CN10LGBKMA1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 125000 mW

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 69A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 5600pF @50VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: IPS12CN10LGBKMA1
描述:TO-251 N-CH 100V 69A

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