Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3Pin2+Tab DPAK T/R
**HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, Infineon**
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
DeviceMart:
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
额定电压DC 55.0 V
额定电流 30.0 A
漏源极电阻 24.5 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 48 W
输入电容 740pF @25V
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 30.0 A
上升时间 40.0 ns
输入电容Ciss 740pF @25VVds
额定功率Max 48 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free