INTERNATIONAL RECTIFIER IRLR3410TRPBF 场效应管, MOSFET, N沟道
**HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, Infineon**
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.
e络盟:
场效应管, MOSFET, N沟道
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Allied Electronics:
IRLR3410TRPBF N-channel MOSFET Transistor, 17 A, 100 V, 3-Pin DPAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
额定电压DC 100 V
额定电流 17.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.105 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 79 W
产品系列 IRLR3410
阈值电压 2 V
输入电容 800pF @25V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 17.0 A
上升时间 53.0 ns
输入电容Ciss 800pF @25VVds
额定功率Max 79 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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