IPB147N03LGATMA1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IPB147N03LGATMA1概述

D2PAK N-CH 30V 20A

表面贴装型 N 通道 30 V 20A（Tc） 31W（Tc） PG-TO263-3

得捷:
MOSFET N-CH 30V 20A D2PAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

IPB147N03LGATMA1中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 31W Tc

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 20A

上升时间 2.4 ns

输入电容Ciss 1000pF @15VVds

下降时间 2 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 31W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-2

外形尺寸

封装 TO-263-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPB147N03LGATMA1

型号： IPB147N03LGATMA1

描述：D2PAK N-CH 30V 20A

替代型号IPB147N03LGATMA1