IRFW630BTM_FP001概述
N沟道 200V 9A
Mosfet Array
立创商城:
N沟道 200V 9A
得捷:
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
IRFW630BTM_FP001中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 400 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 3.13 W
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 -40.0 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 9.00 A
输入电容Ciss 720pF @25VVds
耗散功率Max 3.13W Ta, 72W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买IRFW630BTM_FP001
替代型号IRFW630BTM_FP001
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRFW630BTM_FP001 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
IRFW630B 安森美 | 功能相似 | IRFW630BTM_FP001和IRFW630B的区别 |