IPB096N03LGATMA1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IPB096N03LGATMA1概述

D2PAK N-CH 30V 35A

N-Channel 30V 35A Tc 42W Tc Surface Mount D²PAK TO-263AB

得捷:
MOSFET N-CH 30V 35A D2PAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

IPB096N03LGATMA1中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 42W Tc

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 35A

输入电容Ciss 1600pF @15VVds

耗散功率Max 42W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-2

外形尺寸

封装 TO-263-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： IPB096N03LGATMA1

描述：D2PAK N-CH 30V 35A

替代型号IPB096N03LGATMA1